將半導體製造或微/奈米技術的零組件，組裝成微電子元件的「後段封裝製程」，其對於環境與純淨度的要求，正日益向半導體前段晶圓製造的嚴苛標準看齊。
這些製造步驟包含：微機電系統（MEMS）、微光電微機電系統（MOMS）的生產、晶圓切割（Separation）與電性互連（Electrical connection），以構建一個可運作的系統。
系統級封裝（SiP）元件結合了多種最先進的半導體異質結構設計，以打造具備高功率密度的電子元件。 這些 SiP元件在接合點（Contact points）上，必須完美無瑕且無污染地接合。此外，由於整合密度的要求，用於連接微電子元件的高密度（HD）導線製造，也需要不斷改進製程，且這些製程正日益趨近於半導體前段製程的技術要求。
在上述所有案例中，都必須透過複雜的「微影曝光製程（Exposure processes）」來製造出超精細的線路結構。此時，空氣中的微量化學成分（Airborne trace components）會嚴重干擾曝光顯影與圖形化（Patterning）生產設備，導致機台產能（Throughput）與成像品質（Image quality）大幅下降。
不僅如此，空氣中具有腐蝕性的化學成分，更會對 MEMS、SiP 和高密度導線迴路造成「延遲性損傷（Delayed damage）」（即出廠時正常，但在客戶端使用一段時間後才突發損壞）。
阿諦密斯 的分析方法與系統，正是專門用於識別這些污染源、啟動改善措施，並從源頭預防性地消除微污染對設備關鍵元件與產品的負面影響。
關於可能引發機台故障的原因分析、改善措施的類型與有效性、所需採用的產品及其使用壽命評估，我們皆會針對客戶的特定廠區現況（Site-specifically）與製程特性，進行量身訂製的評估與建議報告。
